I meccanismi di deposizione dei rivestimenti sono comuni in tutte le varie tecnologie e si possono schematizzare in tre passi:
PACVD ovvero Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition, (deposizione chimica da fase vapore assistita da plasma).
Nel caso del PACVD, la generazione avviene per via chimica. Gli elementi che vanno a comporre lo strato di rivestimento sono forniti sotto forma gassosa e attraverso reazioni chimiche vengono resi disponibili per la deposizione.
La presenza del plasma è essenziale per la formazione dei composti da depositare.
L'energia per avviare le reazioni chimiche che nel caso del processo CVD tradizionale è fornita dalla temperatura nel caso del PACVD viene fornita proprio dal plasma.
Ciò consente alla reazione di essere avviata anche a temperature basse, fino a quella ambiente.
Una volta che i composti da deporre sono disponibili, il loro trasporto ai particolari da trattare avviene attraverso il plasma stesso (gas ionizzato a bassa pressione).
Tale fase di deposizione ricorda quella del CVD, quindi contrariamente al PVD l'uniformità di deposizione non dipende dall'esposizione dei particolari ad una sorgente (es. nel PVD una faccia disposta parallelamente e una disposta perpendicolarmente alla sorgente avranno spessori diversi, più alto nella faccia parallela) ma piuttosto dalla capacità del plasma di avvolgerli.
La deposizione è agevolata dalla presenza di un campo elettrico, che può essere sia continuo che pulsato. La struttura dello strato depositato può essere modulata variando opportunamente il campo elettrico.
Con particolari accorgimenti può anche venire depositato uno strato con proprietà di non conduzione elettrica, come il DLC.
La tecnologia PACVD riassume alcuni dei vantaggi del CVD con alcuni del PVD e consente la deposizione di una larga serie di rivestimenti (DLC, SiCN, SiO2, ecc.)